SI4178DY-T1-GE3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSI4178DY-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI4178DY-T1-GE3 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 12 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.017 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SO-8 Forward Transconductance gFS (Max / Min): 22 S Gate Charge Qg: 7.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 5 W Part # Aliases: SI4178DY-GE3
-
Количество страниц10 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
14.05.2024
13.05.2024
08.05.2024